Samsung Electronics je predstavio novi memorijski čip pod nazivom
Phase-change Random Access Memory (PRAM). Trenutno je dostupan model sa
512Mb koji je oko trideset puta brži od standardnih fleš memorijskih čipova. Prema trvdnjama iz Samsunga, PRAM će dobro sarađivati sa NOR flešom koji će se pojaviti
2008. Praveći PRAM čipove štedi se oko 20% u izgradnji
NOR fleš memorije. Novi PRAM poseduje najmanji 0.0467um(squared) memorijski proceosor. Nakon modela sa kapacitetom od 512 Mb možemo očekivati modele sa većim kapacitetom.
